Anonim

Le nouveau transistor sera principalement utilisé dans les stations de base pour les communications par micro-ondes par satellite, qui transmettent des signaux de grande capacité, y compris des émissions à haute définition. Toshiba envisage de commencer à expédier des échantillons du nouveau FET d’alimentation d’ici à la fin de 2007 et de commencer la production en série d’ici à la fin de mars 2008.

Les progrès dans les amplificateurs hyperfréquences en bande Ku visent à remplacer les tubes électroniques classiquement utilisés à cette largeur de bande par des semi-conducteurs, en particulier des dispositifs GaN, qui offrent des caractéristiques de puissance élevées avantageuses à des fréquences hyperfréquences plus élevées.

Le nouveau FET de puissance présente une structure de transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) que Toshiba a optimisée pour la bande Ku. La société a remplacé la liaison par fil source par la technologie de trou traversant afin de réduire l'inductance parasite, et a également amélioré la conception globale du circuit d'adaptation pour une application pratique aux fréquences de la bande Ku.

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La demande de FET de puissance GaN pour les radars et les stations de base de communications par micro-ondes par satellite augmente régulièrement, tant pour les nouveaux équipements que pour le remplacement des tubes électroniques. Toshiba répondra à cette demande avec la commercialisation rapide de son nouveau FET de puissance en bande Ku.

Technologie de l'appareil

Toshiba a obtenu les performances exceptionnelles du nouveau FET en optimisant la composition et l'épaisseur des couches d'AlGaN et de GaN formées sur le substrat en carbure de silicium (SiC) à haute conductivité thermique de la structure HEMT. Pour garantir des performances élevées aux fréquences de la bande Ku, Toshiba a appliqué une longueur de grille plus courte, inférieure à 0, 3 micron, et optimisé la forme de chaque électrode et la configuration de chaque élément afin d'améliorer la dissipation de chaleur.

Technologie de processus

Afin de réduire l'inductance parasite et d'améliorer les performances à haute fréquence, Toshiba a développé une technologie unique pour la formation de trous traversants, qui passent de l'électrode de source de surface à la terre via la puce. Le succès de la formation de trous traversants dans le substrat de SiC, reconnu comme un processus très exigeant, constitue une avancée décisive dans le développement du nouveau FET.

Lorsque les longueurs de grille se raccourcissent, il est essentiel de supprimer les fuites de courant au niveau de l'électrode de grille pour obtenir des performances de haut niveau. Un procédé de recouvrement unique appliqué autour de chaque électrode de grille contribue à réduire les fuites de grille à 1/30 de celles des approches conventionnelles de Toshiba. La technologie d’exposition à un faisceau d’électrons est appliquée afin de garantir un traitement stable des longueurs de porte inférieures à 0, 3 micron.

Principales caractéristiques

  • Gain linéaire 8.2dB
  • Puissance de saturation 65.4W
  • Tension de vidange 30V
  • Fréquence de fonctionnement 14, 5 GHz
  • Taille de la puce 3.4mm x 0.53mm
  • Taille de l'emballage 21.0mm x 12.9mm (dimension externe)